Micron освоила нормы 16 нм в производстве флэш-памяти MLC NAND

Компания Micron заявила о переходе на нормы 16 нм техпроцесса при производстве флэш-памяти (MLC NAND). Это позволит создавать наименьшие в отрасли чипы плотностью 128 Гбит. Компания заявляет, что данная технология является самой передовой в отрасли и позволяет хранить наибольшее количество бит на квадратный миллиметр. Тем, кто вспомнит новость о Samsung и её технологии «10-нанометрового класса» ^[1] следует знать, что корейская компания не указывает конкретный техпроцесс (16 нм, 14 нм), а лишь указывает «десяток».

Касаемо Micron, компании понадобился всего год, чтобы перейти от 20-нанометровых норм ^[2] к последнему достижению. Новые нормы позволяют создать на одной пластине микросхемы с суммарным объёмом до 6 ТБ. Массовое производство новых микросхем начнётся в конце этого года, а первые продукты, начиная от твердотельных накопителей и заканчивая модулями памяти для смартфонов, следует ожидать в первом квартале 2014 года.

Источник: Micron ^[3]