Память с собственным нейронным слоем и скоростью обработки данных до 120 ТБ/с. NEO Semiconductor представила память 3D X-AI

Компания NEO Semiconductor, специализирующаяся на флеш-памяти 3D NAND и 3D DRAM, анонсировала технологию 3D X-AI для замены HBM. 

^[1]

Новая память выделяется тем, что умеет не только хранить, но и обрабатывать и генерировать выходные данные, не требующие математических вычислений. Это пригодится на рынке вычислений, связанных с искусственным интеллектом. Новая память устраняет проблемы узких мест шины данных, когда огромные объемы данных передаются между памятью и процессором. 

Чип 3D X-AI имеет выделенный слой нейронной цепи. Один кристалл включает 300 слоев ячеек 3D DRAM емкостью 128 Гбит и один слой нейронной цепи с 8000 нейронов. По оценкам NEO, это позволяет говорить о скорости до 10 ТБ/с на кристалл. Использование двенадцати кристаллов 3D X-AI, сложенных в стек HBM, позволяет достичь производительности обработки 120 ТБ/с, что приводит к 100-кратному увеличению производительности. 

О коммерциализации памяти компания пока не говорит, но уже показала память на мероприятии FMS.  

Источник ^[2]