Samsung переводит тысячи инженеров в свой центр полупроводников следующего поколения, чтобы улучшить качество памяти HBM, по данным SBS

Samsung Electronics устроила масштабную кадровую перестановку, переместив инженеров в свой центр полупроводников следующего поколения в Пхёнтхэке, как пишет digitimes.

Корейские СМИ предполагают, что перестановками руководил Юнг-Хён Джун (Young-hyun Jun), исполнительный вице-президент и глава подразделения Device Solutions (DS) компании Samsung.

Целью перераспределения является повышение производительности в передовых процессах DRAM и устранение отставания Samsung в области высокоскоростной памяти (HBM), что является ключевой инициативой по оживлению полупроводникового подразделения.

^[1]

Южнокорейское издание SBS сообщило, что более 2000 инженеров из кампусов Samsung Giheung и Hwaseong были перемещены в Пхёнтхэк. Это позволило расположить инженеров ближе к производственной базе, чтобы улучшить управление процессами и качество продукции.

Перераспределение ориентировано на инженеров, специализирующихся на оптимизации показателей выхода годной продукции при переходе от разработки к массовому производству.

Сообщается, что Samsung ускоряет закупку оборудования для своего завода P4 в Пхёнтхэке, где, как ожидается, начнется массовое производство памяти DRAM шестого поколения с 10-нм техпроцессом (1c DRAM).

Однако компания заявила, что эти сообщения необоснованны.

Источник ^[2]