Kioxia и SanDisk представили сверхбыструю 218-слойную память и анонсировали 332-слойную технологию

Kioxia и SanDisk представили технологию производства флеш-памяти нового поколения. Компании анонсировали улучшенную версию 218-слойной 3D NAND-памяти с ускоренным интерфейсом и повышенной энергоэффективностью, а также поделились планами по разработке 332-слойной технологии.

Партнёры по совместному предприятию продемонстрировали существенный прогресс в развитии технологии BiCS. Новое девятое поколение (BiCS 9) использует усовершенствованный интерфейс NAND в логическом слое CMOS в сочетании с существующим 218-слойным модулем памяти. Это позволило добиться более высокой производительности при сниженном энергопотреблении.

Значительным достижением стало увеличение скорости интерфейса NAND-чипа на 33% благодаря использованию интерфейса Toggle DDR6.0 и протокола SCA с раздельными путями управления и передачи данных. Применение технологии PI-LTT позволило снизить энергопотребление на 10% при вводе и на 34% при выводе данных. В результате скорость интерфейса чипа BiCS 9 должна достигать 4,8 Гбит/с.

Особого внимания заслуживает анонсированная технология BiCS 10 с 332 слоями. Благодаря увеличенному количеству слоёв и оптимизированному расположению ячеек, плотность записи возрастёт на 59% по сравнению с поколениями BiCS 8 и 9.

В контексте развития многослойных технологий памяти китайская компания YMTC традиционно лидирует по количеству слоёв в каждом поколении своих продуктов. Эксперты предполагают, что в следующем технологическом скачке YMTC может достичь или даже превысить отметку в 350 слоёв.

Источник ^[1]