Графеновая революция в мире памяти: созданная в Китае память PoX оказалась супербыстрой, а данные в ней сохраняются и после отключения питания

Исследователи из Фуданьского университета в Китае создали прототип сверхбыстрой флеш-памяти PoX, которая способна записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Они использовали графеновый канал с двухмерной структурой Дирака, а для оптимизации процесса записи ученые применили алгоритмы искусственного интеллекта.

^[1]

PoX значительно превосходит по скорости существующие типы памяти, включая DRAM и SRAM, которые записывают данные за 1-10 наносекунд (наносекунда в тысячу раз больше пикосекунды). Кроме того, PoX, подобно флеш-памяти, сохраняет информацию даже при отключении питания, что делает ее энергоэффективной.

Технология поможет создавать высокоскоростные системы хранения данных, особенно для устройств с искусственным интеллектом, которые требуют быстрой и энергонезависимой памяти. PoX может стать основой для следующего поколения устройств хранения информации.

Источник ^[2]