Sony планирует освоить выпуск микросхем памяти ReRAM плотностью 16 Гбит в 2015 году

На недавно прошедшем мероприятии Flash Memory Summit 2013 компания Sony рассказала о своих планах коммерциализации разработок в области резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM) ^[1]. Работы в этом направлении японский производитель ведет в сотрудничестве с Micron Technology.

В настоящее время Sony позиционирует ReRAM в качестве «памяти для устройств хранения» (storage-class memory, SCM), которая не заменит флэш-память NAND, а заполнит нишу между ней и памятью DRAM. Упор будет сделан на уменьшение объема памяти DRAM, используемой в крупномасштабных корпоративных хранилищах на базе NAND, а также на использовании ReRAM в потребительской электронике, включая смартфоны и планшеты. Отметим, что для работы с ReRAM требуются собственные контроллеры.

Среди достоинств ReRAM — возможность выпуска по передовым техпроцессам. По словам Sony, уже подтверждена возможность формирования массива ячеек новой памяти в пересечениях металлических электродов, расположенных под прямым углом друг к другу, с соблюдением технологических норм около 10 нм. Производитель уточнил, что первые микросхемы будут выпускаться по нормам около 20 нм.

Выпуск микросхем памяти ReRAM плотностью 16 Гбит Sony планирует освоить в 2015 году.

Остается добавить, что Sony — не единственный производитель, верящий в перспективы ReRAM ^[2]

Источник: Tech-On! ^[3]