G.Skill собирается показать на IDF 2013 очень быструю память DDR3 и рассказать о планах выпуска памяти DDR4

На сайте компании G.Skill International, специализирующейся на выпуске модулей высокопроизводительной оперативной памяти, появилось сообщение о намерении участвовать в мероприятии Intel Developer Forum, которое пройдет в Сан-Франциско с 10 по 12 сентября. Более того, G.Skill собирается показать на IDF 2013 очень быструю четырехканальную память DDR3. Говоря словами самого производителя, будет показана «максимальная частота и объем памяти DDR3 на платформе Intel Core i7 в исполнении LGA 2011». Кроме того, G.Skill планирует в ходе IDF 2013 рассказать о планах выпуска памяти DDR4.

Отметим, что для G.Skill это будет первое участие в IDF.

Кстати, сегодня стало известно, что компания Samsung начинает серийный выпуск модулей DDR4 объемом 32 ГБ ^[1].

Источник: G.Skill ^[2]

Источник ^[3]