SK Hynix сосредоточилась на сверхпопулярной HBM-памяти и приостановила закупки оборудования для 1c DRAM

Южнокорейская SK Hynix, занимающая лидирующие позиции на рынке HBM-памяти, временно приостановила закупки оборудования для массового производства DRAM по техпроцессу 1c нм (шестое поколение 10-нм класса). Решение связано с перераспределением приоритетов в пользу более прибыльного сегмента HBM.

Текущие флагманские продукты компании — HBM3E и готовящаяся к производству HBM4 — основаны на техпроцессе 1b DRAM. Лишь будущая память HBM4E будет переведена на техпроцесс 1c. Стремительный рост спроса со стороны разработчиков ИИ-чипов, таких как Nvidia, а также высокая маржинальность HBM по сравнению с традиционной DRAM — две основные причины, по которым SK Hynix фокусируется на расширении производственных мощностей 1b DRAM.

^[1]

При этом компания остаётся технологическим лидером в некоторых сегментах: она первой среди производителей завершила разработку DDR5 на базе 1c нм, обеспечив прирост скорости на 11% и повышение энергоэффективности на 9%.

Однако в направлении LPDDR5X SK Hynix временно уступила лидерство Micron, которая продвинулась быстрее в освоении новых технологий.

Источник ^[2]