Toshiba делает ставку на TLC NAND и объемную флэш-память

На днях компания Toshiba провела в Токио мероприятие для прессы, на котором, в частности, было рассказано о планах японского производителя в области производства полупроводниковой продукции.

Представитель компании отметил, что полупроводниковое производство Toshiba постепенно выходит из кризиса. По сравнению с 2008 годом, когда компания понесла значительные убытки от этого направления деятельности, производство флэш-памяти уже вернулось в прибыли, а производство дискретных приборов и БИС находится «на полпути к возрождению».

Именно на разработке последних двух направлений будут сосредоточены усилия Toshiba в ближайшее время, тогда как выпуску флэш-памяти типа NAND отводится роль источника доходов. По оценке компании, в период с 2012 по 2015 год среднегодовой рост отрасли будет равен 3,6%. В Toshiba намерены наращивать продажи полупроводниковой продукции в среднем на 6,8% в год.

Что касается флэш-памяти, ставка сделана на увеличение доли памяти типа TLC NAND и освоение техпроцесса 1Znm, который следует за техпроцессом 1Ynm (второе поколение 19-нанометровой технологии, используемое сейчас). В перспективе Toshiba начнет переход к памяти BiCS (Bit Cost Scalable) с объемной компоновкой. Такая стратегия выбрана в расчете на постоянное снижение удельной стоимости памяти.

Первую продукцию, изготавливаемую по техпроцессу 1Znm, японский производитель рассчитывает начать отгружать в 2014 году (оговоримся, что речь идет о финансовом годе, начинающемся 1 апреля). Первая память BiCS должна появиться до конца 2013 финансового года. Но это будут ознакомительные образы, а серийный выпуск BiCS компания начнет в 2015 финансовом году. Предполагается, что в микросхемах BiCS будет не менее 30 слоев.

Напомним, чип BiCS плотностью 32 Гбит ^[1] Toshiba показала еще летом 2009 года.

Источник: Tech-On! ^[2]

Источник ^[3]