Память Samsung GDDR7 получила президентскую награду

Компания Samsung создала чип памяти, который получил президентскую награду. На Корейском технологическом фестивале в Сеуле такой наградой выделили память GDDR7 объёмом 3 ГБ с эффективной частотой в 40 ГГц.  

Напомним, у видеокарт RTX 50 чипы памяти объёмом 2 ГБ работают на частотах 28-30 ГГц. Samsung представила эту память ранее осенью, и на текущий момент это самая быстрая GDDR7 из анонсированных. Правда, пока вообще неясно, когда и где она найдёт применение. Возможно, придётся ждать видеокарты RTX 60. 

^[1]

Напомним, чипы объёмом по 3 ГБ должны быть и у карт RTX 50 Super, которые ожидаются в 2026 году, если их окончательно не отменят. Однако вряд ли стоит ожидать, что у этих карт будет память именно со столь высокой частотой. Та же Samsung также имеет чипы с частотами 32-36 ГГц, да и у Hynix есть аналогичные разработки.  

К слову, это уже 12-й раз, когда Samsung получает президентскую награду, и это наивысшее количество наград, присуждённых одной компании. В 2022 году компания получила награду за 14-нанометровую память DDR5, а в 2017 году — за 64-слойную флеш-память V-NAND.

Источник ^[2]