У Micron готовы инженерные образцы микросхем памяти Hybrid Memory Cube

Компания Micron Technology объявила о начале отгрузки инженерных образцов микросхем памяти Hybrid Memory Cube (HMC) ^[1] объемом 2 ГБ. По словам производителя, это первые в мире образцы HMC.

Напомним, основное достоинство HMC заключено в объединении высокопроизводительной логической схемы ввода-вывода и памяти DRAM в одном изделии. Такое объединение призвано устранить ограничения современных архитектур памяти в области производительности (прежде всего, речь идет о пропускной способности), плотности компоновки и энергетической эффективности.

Сначала память HMC будет применяться в таких приложениях, как вычисления с помощью процессорных ускорителей, буферизация и обработка пакетов данных. В Micron надеются, что на появление HMC следующих поколений в потребительской электронике понадобится от трех до пяти лет.

Конструктивно образцы собраны из логического чипа и четырех чипов DRAM плотностью 4 Гбит, связанных межслойными соединениями TSV. Полученная конструкция обеспечивает пропускную способность 160 ГБ/с, при снижении удельного энергопотребления в расчете на один бит на 70% по сравнению с существующими технологиями памяти. Встроенная логика выполняет регенерацию памяти, обнаружение и коррекцию ошибок, другие функции.

Micron ожидает, что в начале 2014 года станут доступны ознакомительные образцы HMC объемом 4 ГБ, а позже начнется серийный выпуск обеих моделей.

По каким технологическим нормам и на чьих мощностях изготовлены первые микросхемы HMC — неизвестно. Напомним, в декабре 2011 года появилась информация, что «кубы памяти» Micron c применением технологии TSV будет выпускать компания IBM ^[2].

Источник: Micron ^[3]

Источник ^[4]