Intel возвращается на рынок оперативной памяти: Z-Angle Memory (ZAM) от Intel и Softbank обещает радикально ускорить нейросети

Компания Intel готовит возвращение в бизнес по производству оперативной памяти. Компания в сотрудничестве с Saimemory (дочернее предприятие японского холдинга SoftBank) разработала технологию ZAM (Z-Angle Memory). Название указывает на особенность архитектуры: в отличие от традиционных стеков памяти, где соединения проходят вертикально сквозь слои, в ZAM используется ступенчатая топология с диагональными межчиповыми соединениями.

^[1]

Ключевые инженерные решения ZAM:

• Гибридное соединение «медь-медь»: позволяет объединять слои кремния в единый монолитный блок, снижая тем самым термическое сопротивление;
• Уменьшение количества конденсаторов: это упрощает конструкцию и повышает плотность размещения ячеек;
• Интеграция через EMIB: память подключается к ИИ-чипу с помощью фирменной технологии Intel Embedded Multi-die Interconnect Bridge, что обеспечит высокую скорость обмена данными.

Согласно предварительным данным, ZAM будет потреблять на 40–50%, чем HBM. Объем памяти на одном чипе может достигать 512 ГБ, а диагональные соединения упрощают процесс сборки многослойных структур.

Для Intel возвращение на рынок оперативной памяти станет в какой-то мере историческим: компания практически не занималась DRAM с 1985 года, когда покинула рынок под давлением японских конкурентов. Теперь же, на фоне бума ИИ, Intel намерена снова стать ключевым игроком. SoftBank, в свою очередь, планирует использовать ZAM в своих специализированных процессорах (ASIC) линейки Izanagi.

Источник ^[2]