Рекордные 900 слоёв в одном чипе: Samsung создала прототип передовой памяти 3D NAND

Samsung Electronics разработала прототип первой в мире 900?слойной 3D NAND?памяти. Для этого инженеры компании объединили два 450?слойных кристалла с помощью технологии CMB (Cell-on-Cell/multi-layer bonding). По данным корейских СМИ, на которые ссылается ITHome, работоспособность ячеек памяти уже подтверждена на образцах.

^[1]

Технология предполагает «склеивание» двух отдельных «небоскрёбов» NAND в единую 900?слойную структуру, что предъявляет крайне высокие требования к точности совмещения и надёжности соединения.

В ходе разработки Samsung решила ряд технологических проблем: устранила деформацию пластин, минимизировала погрешности совмещения слоёв благодаря новой технологии коррекции наложения, улучшила архитектуру bit line (BL) и word line (WL), что позволило снизить энергопотребление и оптимизировать размеры кристалла.

Создание 900?слойной NAND открывает путь к дальнейшему увеличению плотности хранения данных.

Источник ^[2]