На смену LPDDR придёт оперативная память LLW на основе HBM

Требования к вычислительной мощности и пропускной способности данных для периферийных ИИ продолжают расти, а пропускная способность памяти и задержка стали ключевыми узкими местами, ограничивающими эффективность мобильных вычислений в области ИИ. Простого обновления нейронного процессора или флеш-памяти уже недостаточно. На этом фоне производители уже готовят новое решение на основе оперативной памяти DRAM с низкой задержкой (Low Latency Wide DRAM), получившее название LLW.

Это решение заимствует элементы архитектуры HBM, но адаптируется к ограниченному пространству смартфонов, избегая проблем с упаковкой и отводом тепла, характерных для HBM. LLW не является строго HBM; суть заключается в преодолении ограничений пропускной способности и задержки традиционной LPDDR за счет более тесной архитектуры.

^[1]

По данным отраслевых источников, на которые ссылается AnTuTu, технология LLW теоретически может снизить энергопотребление примерно на 50% и обеспечить повышение производительности примерно в 1,5 раза, однако фактический эффект еще предстоит проверить.

На внутреннем рынке первыми компаниями, которые могут представить такие смартфоны, называются Xiaomi и Huawei.

Источник ^[2]