- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Samsung готовит новый SSD серии 990 с интерфейсом PCIe 4.0 NVMe. В отличие от старших моделей 990 EVO и 990 PRO, новинка станет более доступным решением и, судя по ранее опубликованным данным на сайте Samsung Canada, лишится собственного DRAM-кэша.

Вместо выделенной памяти накопитель использует технологию HMB (Host Memory Buffer), при которой часть оперативной памяти компьютера применяется для кэширования данных. В основе SSD лежит фирменный контроллер Samsung в сочетании с памятью V-NAND.
Линейка будет представлена версиями на 1 и 2 ТБ. Модель на 1 ТБ обеспечивает скорость последовательного чтения до 7150 МБ/с и записи до 6450 МБ/с. Версия на 2 ТБ немного быстрее в чтении — до 7250 МБ/с при той же скорости записи. Заявленная производительность — до 850 тыс. IOPS при чтении и до 1,2 млн IOPS при записи.
При этом новый SSD уступает 990 PRO по ресурсу записи. Для версии на 1 ТБ заявлено 400 TBW, для 2 ТБ — 800 TBW. Также указана более короткая гарантия — 3 года вместо расширенного срока у старших моделей линейки.
Samsung пока не объявила дату начала продаж и стоимость новинки. После публикации характеристики были удалены с сайта, однако SSD уже появился в каталогах некоторых ретейлеров.
Источник [1]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/454432
Ссылки в тексте:
[1] Источник: https://www.ixbt.com/news/2026/07/04/samsung-ssd-990-samsung-990-dram.html
Нажмите здесь для печати.