Микросхемы без «перепаек»: представлена платформа для точного проектирования чипов на нитриде галлия

Keysight Technologies и тайваньский контрактный производитель полупроводников WIN Semiconductors представили совместную платформу для разработки радиочастотных микросхем на основе нитрида галлия (GaN). Новое решение позволяет запустить чип в производство с первого раза, что снижает затраты на доработки и ускоряет вывод продукции на рынок.

Платформа объединяет в единой среде моделирование микросхем, трёхмерную проверку топологии, проектирование печатных плат и тестовых модулей. Она интегрирована с набором средств проектирования WIN NP 120P (PDK) и программным обеспечением Keysight Advanced Design System (ADS), которое широко используется для разработки высокочастотной электроники.

Ключевая цель системы — снизить риск неудачного вывода готового проекта в производство. В случае ошибок в кристалле разработчикам обычно приходится вносить изменения и запускать повторное производство, что приводит к задержкам на недели и значительным дополнительным расходам.

Новая платформа позволяет заранее моделировать поведение не только самого чипа, но и всей связки «кристалл — корпус — печатная плата — измерительное оборудование». Это даёт возможность оценить работу устройства в условиях, максимально близких к реальной эксплуатации, ещё до начала серийного выпуска.

Решение ориентировано на разработчиков радиочастотных GaN-микросхем, которые применяются в базовых станциях 5G, Wi-Fi-оборудовании, спутниковых системах связи и радиолокации. По оценкам компаний, мировой рынок таких решений к 2031 году может достичь 2,77 млрд долларов.