Toshiba приступает к выпуску модулей флэш-памяти NAND по 19-нанометровому техпроцессу второго поколения

Компания Toshiba анонсировала начало выпуска встраиваемых модулей флэш-памяти типа NAND, в которых используются чипы, изготавливаемые по 19-нанометровому техпроцессу второго поколения. Модули соответствуют требованиям стандарта JEDEC eMMC 5.0. Они предназначены для применения в широком спектре устройств бытовой электроники, включая смартфоны, планшеты и камеры. К серийному выпуску модулей компания рассчитывает приступить в конце ноября.

Первыми в производстве будут освоены модули THGBMBG7D2KBAIL и THGBMBG8D4KBAIR объемом 16 и 32 ГБ соответственно. Кроме того, запланирован выпуск модулей объемом 4, 8, 64 и 128 ГБ. В модуле объемом 32 ГБ интегрировано четыре чипа плотностью 64 Гбит и чип контроллера. Габариты корпуса изделия равны 11,5 x 13 x 1,0 мм, тип корпуса — FBGA, число выводов — 153.

Модули рассчитаны на напряжение питания 2,7-3,6 В. Предусмотрена работа в трех конфигурациях, различающихся шириной шины — x1, x4, x8. Скорость последовательной записи (в режиме HS400) в случае модуля объемом 16 ГБ достигает 90 МБ/с, в случае модуля объемом 32 ГБ — 50 МБ/с. Максимальная скорость чтения в обоих случаях указана равной 270 МБ/с.

Источник: Toshiba ^[1]

Источник ^[2]