SK Hynix первой освоила массовый выпуск флэш-памяти типа MLC NAND по нормам 16 нм

На сайте компании SK Hynix появилось сообщение о том, что этот производитель начала полномасштабный серийный выпуск чипов флэш-памяти типа MLC (Multi Level Cell) NAND плотностью 64 Гбит по 16-нанометровой технологии. Как утверждается, это самый тонкий среди техпроцессов, освоенных отраслью.

Начиная с июня, компания SK Hynix выпускала первую версию 16-нанометровой флэш-памяти NAND, а недавно был начат выпуск второй версии. По словам производителя, новые чипы гораздо более конкурентоспособны из-за меньшего размера.

В сообщении также сказано о том, что специалистами SK Hynix разработан чип MLC NAND плотностью 128 Гбит (16 ГБ). Это максимальное значение плотности чипа, достигнутое в отрасли на данный момент. Рекордсмен имеет такие же технические характеристики, включая показатели надежности, что чип MLC NAND плотностью 64 Гбит. Его серийный выпуск компания рассчитывает начать в начале будущего года.

Для уменьшения взаимного влияния ячеек памяти в 16-нанометровых чипах SK Hynix использует технологию Air-Gap.

Справедливости ради стоит напомнить, что компания Micron сообщила об освоении норм 16 нм в производстве флэш-памяти MLC NAND ^[1] еще в июле, а компания Samsung начала серийный выпуск чипов памяти MLC NAND плотностью 128 Гбит по технологии 10-нанометрового класса ^[2] и вовсе в апреле. Однако в случае Micron речь пока не идет о серийном выпуске, а Samsung не называет точное значение технологических норм, так что конкуренты хоть и идут плотным строем, каждый из них время от времени может найти повод назвать себя первым.

Источник: SK Hynix ^[3]

Источник ^[4]