I’M Intelligent Memory спешит занять место Micron в нише памяти SDRAM плотностью 256 и 512 Мбит, рассчитанной на напряжение питания 3,3 В

По данным источника, память SDRAM, работающая от при стандартном напряжении 3,3 В, становится все более редкой, поскольку крупные производители прекращают ее выпуск. Так, компания Micron недавно объявила о прекращении выпуска микросхем SDRAM плотностью 512 Мбит. Между тем, спрос на такую память в определенных сегментах рынка сохраняется.

Воспользоваться случаем решила гонконгская компания I'M Intelligent Memory, не имеющая собственных производственных мощностей. Она объявила о выпуске микросхем памяти SDRAM плотностью 256 и 512 Мбит, работающих при напряжении питания 3,3 В. Функциональность, назначение выводов и значения задержек этих микросхем соответствуют спецификациям JEDEC. Память предложена в вариантах, рассчитанных на потребительский и промышленный температурные диапазоны. В дополнение к микросхемам в стандартных корпусах TSOP-II с 54 выводами, предложены микросхемы в корпусах типа FBGA размерами 8 х 8 мм с 54 выводами.

Микросхемы плотностью 256 Мбит предложены в конфигурациях x8 и x16, плотностью 512 Мбит — только в конфигурации x16.

Источник: I'M Intelligent Memory ^[1]

Источник ^[2]