- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

SanDisk втрое увеличивает скорость записи с произвольным доступом модуля флэш-памяти iNAND Extreme

Наряду с карточкой памяти microSDXC объемом 128 ГБ [1] компания SanDisk представила новое поколение модулей флэш-памяти iNAND Extreme. В настоящее время доступны ознакомительные образцы этих изделий объемом до 64 ГБ, предназначенных для встраивания в мобильные устройства.

В модулях iNAND Extreme используется флэш-память SanDisk, выпускаемая по технологии 1Y нм

Модули iNAND Extreme соответствуют спецификации e.MMC 5.0. По словам производителя, они получили совершенно новую архитектуру, обеспечивающую при работе с современными процессорами максимальную производительность. К ее особенностям относится «уникальное двухъядерное устройство, инновационная аппаратная часть и программные алгоритмы управления данными». Это позволило втрое увеличить скорость записи с произвольным доступом и вдвое увеличить скорость последовательного чтения. Говоря более точно, последовательная скорость чтения достигает 300 МБ/с, записи — 80 МБ/с. Производительность на операциях записи с произвольным доступом равна 3000 IOPS, на операциях чтения с произвольным доступом — 6000 IOPS.

В модулях iNAND Extreme используется флэш-память SanDisk, выпускаемая по технологии 1Y нм (второе поколение 19-нанометровой технологии). Модуль объемом 64 ГБ имеет размеры 11,5 x 13 х 1,0 мм.

К серийным поставкам модулей iNAND Extreme компания рассчитывает приступить во втором квартале.

Источник: SanDisk [2]

Источник [3]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/55742

Ссылки в тексте:

[1] карточкой памяти microSDXC объемом 128 ГБ: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/70/68

[2] SanDisk: http://www.sandisk.com/about-sandisk/press-room/press-releases/2014/sandisks-next-generation-inand-extreme-embedded-flash-drive-to-enable-new-more-responsive-flagship-android-smartphones-and-tablets/

[3] Источник: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/70/69