Qualcomm выпускает первые интегральные усилители и антенные коммутаторы 3G/4G LTE, изготавливаемые по технологии CMOS

Компания Qualcomm Technologies в сотрудничестве с ZTE представила первый в мире многорежимный и многодиапазонный чип, в котором интегрирован усилитель мощности, изготавливаемый по технологии CMOS, и антенный коммутатор. Это изделие используется в новом флагманском смартфоне ZTE — Grand S II LTE.

По словам производителя, успешное применение микросхем QFE2320 и QFE2340 в коммерчески доступном устройстве знаменует важный этап в развитии мобильных радиочастотных цепей. Их применение позволяет получить необходимую функциональность при одновременном упрощении топологии печатной платы и уменьшении ее размеров. Микросхемы QFE2320 (многорежимный и многодиапазонный усилитель мощности и антенный коммутатор) и QFE2340 (усилитель мощности верхней части диапазона и коммутатор режима приема/передачи), наряду с QFE1100, первым чипсетом 3G/4G LTE с отслеживанием огибающей мощности, являются ключевыми компонентами радиочастотного решения Qualcomm RF360, которое позволит производителям использовать одну и ту же подсистему в устройствах, рассчитанных на работу в сетях LTE в разных странах.

Комбинация QFE2320 и QFE2340 покрывает все основные технологии передачи, используемые в LTE TDD/FDD, WCDMA/HSPA+, CDMA 1x, TD-SCDMA и GSM/EDGE в диапазоне от 700 до 2700 МГц. Микросхемы QFE2320 и QFE2340 выпускаются по технологии CMOS, позволяющей получить более тесную интеграцию компонентов на общей подложке.

В настоящее время QFE2320 и QFE2340 отгружаются производителям мобильных устройств. Их широкое использование в серийной продукции ожидается уже в текущем году.

Вести прямо с MWC в Twitter https://twitter.com/ixbtcom по хэштегу #mwc14ixbt.

Источник: Qualcomm ^[1]

Источник ^[2]