- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первой в отрасли объемной флэш-памяти 3D V-NAND, в которой по вертикали интегрировано 32 слоя ячеек памяти. Эта память относится ко второму поколению флэш-памяти Samsung 3D V-NAND.
В чипах первого поколения, выпуск которых начался в августе прошлого года [1], было 24 слоя ячеек. Производитель отмечает, что увеличение числа слоев, хотя и требует более высокого уровня технологии проектирования, зато обеспечивает существенное повышение эффективности производства, поскольку можно использовать практически то же самое оборудование, что и для памяти 3D V-NAND первого поколения.
Одновременно было объявлено о выпуске твердотельных накопителей объемом 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ, в которых используется новая флэш-память. В отличие от твердотельных накопителей на базе флэш-памяти 3D V-NAND первого поколения [2], предназначавшихся для серверов, новые SSD позволят Samsung охватить верхний сегмент ПК.
По данным производителя, новые SSD примерно вдвое превосходят по ресурсу записи накопители, в которых используется планарная флэш-память MLC NAND, и потребляют на 20% меньше электроэнергии.
Позже в этом году Samsung планирует выпустить новые модели SSD на базе флэш-памяти 3D V-NAND второго поколения с еще более высокими показателями объема и надежности.
Источник: Samsung Electronics [3]
Источник [4]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/61039
Ссылки в тексте:
[1] выпуск которых начался в августе прошлого года: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/07/32
[2] твердотельных накопителей на базе флэш-памяти 3D V-NAND первого поколения: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/08/24
[3] Samsung Electronics: http://www.samsung.com/
[4] Источник: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/98/14
Нажмите здесь для печати.