У Micron готовы первые в отрасли «монолитные компоненты» DDR3 SDRAM плотностью 8 Гбит

Компания Micron Technology объявила о выпуске «монолитных компонентов» DDR3 SDRAM плотностью 8 Гбит. Чипы выпускаются по наиболее передовой, 25-нанометровой технологии производства DRAM, освоенной на предприятии.

Появление монолитных компонентов DDR3 плотностью 8 Гбит, как утверждается, позволит выпускать более привлекательные по цене модули памяти большой емкости для систем, интенсивно работающих с большими объемами данных. В частности, новые компоненты позволят сделать массовыми модули RDIMM объемом 32 ГБ. К областям их применения отнесены системы, выполняющие анализ данных и поиск, обеспечивающие работу социальных сетей.

Компания Micron предлагает компоненты DDR3 плотностью 8 Гбит, включающие один или два кристалла, модули памяти RDIMM объемом 32 ГБ (двухранговые), LRDIMM объемом 64 ГБ, ECC SODIMM объемом 32 ГБ и VLP ECC UDIMM объемом 16 ГБ.

Источник: Micron ^[1]

Источник ^[2]