Micron сообщила о создании своего первого модуля памяти DDR4

Компания Micron Technology объявило о создании своего первого «полнофункционального» модуля памяти DRAM DDR4. Производитель начал поставки ознакомительных образцов и получил отзывы от крупных заказчиков, что должно помочь быстрому внедрению новинки в 2013 году.

Ожидается, что рынки корпоративных серверов и микро-серверов первыми воспользуются преимуществами DDR4. Применение новой памяти ожидается также в ультратонких клиентах и планшетах.

В модулях, созданных в сотрудничестве с Nanya, используются компоненты x8 плотностью 4 Гбит, изготавливаемые по 30-нанометровой технологии. Модули открыли семейство, в которое в перспективе войдут модели RDIMM, LRDIMM, 3DS, SODIMM и UDIMM (в том числе, с поддержкой ECC). Кроме того, запланирован выпуск компонентов x8, x16 и x32, рассчитанных на монтаж на печатную плату системы. Первое время будет выпускаться продукция, поддерживающая скорость 2400 MT/s, позже — 3200 MT/s, максимальную скорость, стандартизованную JEDEC.

Рассчитывая на скорый выход окончательной спецификации DDR4 ^[1], ожидаемый ближе к середине года, Micron планирует начать серийный выпуск модулей в четвертом квартале текущего года.

Micron — не первая компания, объявившая о создании модулей памяти DDR4. Первой в отрасли о выпуске модулей памяти DDR4 объявила компания Samsung ^[2] в январе прошлого года. В апреле того же года о своих успехах в этой области сообщила компания Hynix ^[3].

Источник: Micron Technology ^[4]