Toshiba планирует перейти на выпуск памяти ReRAM только в 2020 году

Компания Toshiba обнародовал планы подразделения, занятого выпуском полупроводниковой продукции и решений для хранения информации.

В апреле этого года Toshiba начала серийный выпуск продукции с использованием 15-нанометровой технологии. Полностью перейти на эту технологию производитель планирует в будущем году.

На 15 нм уменьшение норм прекратится. Вместо этого Toshiba планирует перейти к технологии BiCS (bit cost scalable) с объемной компоновкой ячеек. В серийном производстве освоение BiCS начнется в 2016 году.

Отметим, что Toshiba заметно отстает от другого крупного производителя флэш-памяти, Samsung Electronics, который уж выпускает серийно память с объемной компоновкой 3D NAND.

Чтобы использование технологии BiCS было экономически оправдано, память должна содержать большое количество слоев. В Toshiba рассчитывают, что слоев будет намного больше 30. Для серийного изготовления такой памяти рассматривается возможность использования нанопечатной литографии.

На следующем этапе ожидается новое уменьшение технологических норм, причем не исключено, что Toshiba использует технологию литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Это позволит увеличить плотность хранения за счет одновременного использования объемной компоновки и уменьшения размеров элементов.

В целом же, потенциала BiCS, по мнению Toshiba, хватит на пять-шесть лет. Уже в 2020 году придется перейти на новую технологию памяти. Названо два кандидата: резистивная память с произвольным доступом (resistive random-access memory, ReRAM) и ионная память (magnetic wall displacement type). С ними может быть скомбинирована технология объемной компоновки. Кроме того, предполагается, что к тому времени будут освоены нормы 10 нм и менее.

Источник: Tech-On! ^[1]

Источник ^[2]