Samsung начинает использовать 20-нанометровую память DDR4 в модулях объемом 32 ГБ

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска по 20-нанометровой технологии компонентов DDR4 плотностью 8 Гбит и модулей памяти объемом 32 ГБ, в которых эти компоненты используются. Новые модули памяти Samsung предназначены для серверов.

В марте этого года компания Samsung начала серийный выпуск 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит ^[1], предназначенных для ПК, а в сентябре — серийный выпуск 20-нанометровых чипов памяти DRAM LPDDR3 плотностью 6 Гбит для мобильных устройств ^[2]. Таким образом, южнокорейский производитель уже использует 20-нанометровую технологию при выпуске чипов DRAM всех основных сегментов: мобильного, ПК и серверов.

Модули RDIMM DDR4-2400 объемом 32 ГБ работают при напряжении 1,2 В и превосходят модули DDR3-1866 по производительности примерно на 29%. Кстати, это не наибольший объем модуля, который можно получить с новыми чипами. Используя объемную компоновку с межслойными связями (TSV), можно изготовить модуль объемом 128 ГБ.

Источник: Samsung ^[3]

Источник ^[4]