Buffalo использует в твердотельных накопителях магниторезистивную память

По данным источника, японская компания Buffalo собирается выпустить новую серию твердотельных накопителей, отличительной чертой которых является использование в кэш-памяти микросхем магниторезистивной памяти с произвольным доступом (magnetic random access memory, MRAM). Магниторезистивная память характеризуется высоким быстродействием, что позволяет заменить ею используемую в таких случаях память типа DRAM. В отличие от последней, память MRAM является энергонезависимой и не теряет свое содержимое при отключении питания. Именно это свойство привлекло конструкторов новых SSD Buffalo. В результате накопители получились более устойчивыми к перебоям к подаче питания, чем их обычные собратья.

В серию войдут модели с интерфейсами SATA и IDE. Другие подробности об этих изделиях пока отсутствуют.

Источник: techPowerUp ^[1]