Micron и A*STAR Data Storage Institute продолжат совместно разрабатывать память STT-MRAM

Сингапурское агентство A*STAR (Agency for Science, Technology and Research) в лице института DSI (Data Storage Institute) и компания Micron Technology объявили о продолжении совместной разработки магнитной памяти с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента спина (spin torque transfer magnetic random access memory, STT-MRAM). Исходное соглашение о сотрудничестве ^[1], подписанное осенью 2011 года и рассчитанное на три года, продлено еще на три года.

Возможности A*STAR DSI и наработки специалистов института в области STT-MRAM помогли Micron обустроить исследовательский центр в Сингапуре. На начальном этапе сотрудничества институт также поделился опытом, необходимым для успешного изготовления чипов STT-MRAM.

Основываясь на успешном опыте совместной работы, партнеры на новом этапе намерены сосредоточиться на разработке механизма переключения с пониженным энергопотреблением и повышении производительности STT-MRAM. Стороны надеются, что сотрудничество приблизит новую технологию памяти в коммерческому применению.

Напомним, память STT-MRAM лишена таких недостатков флэш-памяти, как относительно невысокая надежность и долговечность, а также сравнительно высокая мощность, потребляемая при записи данных. Она обладает таким сочетанием качеств, которое позволяет рассматривать ее в качестве замены флэш-памяти и оперативной памяти с произвольным доступом (DRAM).

Micron и A*STAR — не единственные, кто ведет разработки в области STT-MRAM. Два года назад специалистам Toshiba удалось создать элемент памяти STT-MRAM с самым маленьким в мире энергопотреблением ^[2], а в начале октября нынешнего года компания TDK показала прототипы микросхем памяти STT-MRAM плотностью 8 Мбит ^[3]. Весной прошлого года о расширении сотрудничество в сфере разработки памяти STT-MRAM объявили IMEC и Globalfoundries ^[4].

Источник: A*STAR ^[5]

Источник ^[6]