Samsung начинает выпуск первых в отрасли микросхем памяти GDDR5 плотностью 8 Гбит

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в мире микросхем памяти GDDR5 плотностью 8 Гбит. Память выпускается по 20-нанометровой технологии. Она предназначена для графических карт, используемых в ПК и суперкомпьютерах, для игровых консолей и ноутбуков. Производитель отмечает, что для получения объема 8 ГБ достаточно использовать всего восемь микросхем. Как мы уже сообщали, планы Samsung по выпуску памяти GDDR5 позволяют предположить, что 3D-карты Nvidia GeForce GTX 970 и GTX 980 выйдут в вариантах с 8 ГБ памяти ^[1].

Новая память способна передавать данные со скоростью 8 Гбит/с в расчете на один вывод. Это примерно в четыре раза выше показателя памяти DDR3, широко используемой в персональных компьютерах. Конфигурация микросхем позволяет одновременно передавать данные по 32 выводам.

Напомним, восемь лет назад компания Samsung выпустила самую быструю на тот момент в мире память GDDR5 ^[2]. Первые микросхемы памяти Samsung GDDR5 имели плотность 512 Мбит и были способны передавать данные со скоростью 6 Гбит/с в расчете на один вывод. Они тоже имели 32-разрядную организацию.

Источник: Samsung ^[3]

Источник ^[4]