Tezzaron называет срок начала серийного выпуска памяти ReRAM

Одной из перспективных технологий энергонезависимой памяти является резистивная память с произвольным доступом (Resistive RAM, ReRAM) ^[1]. По прогнозу SanDisk, память ReRAM придет на смену флэш-памяти до конца десятилетия ^[2]. В этот прогноз вполне укладываются планы компании Tezzaron Semiconductor, объявившей вчера о подписании лицензионного соглашения с компанией Rambus. Соглашение дает Tezzaron возможность использовать технологию ReRAM, разработанную Rambus, для выпуска серийной продукции. Говоря более конкретно, Tezzaron получает доступ к IP-ядрам, спецификациям и тестовым наборам, необходимым для разработки различных чипов ReRAM. Предполагается, что новые микросхемы памяти Tezzaron найдут применение в военной, аэрокосмической и других отраслях.

В Tezzaron планируют использовать технологию ReRAM в микросхемах памяти с объемной компоновкой, пригодных для выпуска накопителей. Кроме того, намечена интеграция ReRAM в однокристальные системы, FPGA и процессоры. Выпуск этой продукции должен быть освоен на дочернем предприятии Tezzaron, Novati Technologies. Как утверждается, используя ReRAM, производитель рассчитывает добавить «сотни мегабайт памяти в логические схемы, изготавливаемые на обычной фабрике».

К преимуществам ReRAM относится малое энергопотребление, высокая производительность и надежность.

Специалисты Tezzaron уже приступили к разработке первых микросхем ReRAM. Начало серийного выпуска этой продукции запланировано на 2016 год.

Источник: Rambus ^[3]

Источник ^[4]