Специалисты Rambus создали интерфейс физического уровня R+ DDR4/3, рассчитанный на техпроцесс Samsung 28nm LPP

Компания Rambus объявила о разработке интерфейса физического уровня (PHY ^[1]) R+ DDR4/3, рассчитанный на 28-нанометровый техпроцесс Samsung, оптимизированный по критерию энергопотребления (28nm LPP). Разработка, выполненная в сотрудничестве с Samsung, готова для интеграции в однокристальные системы.

Интерфейс Rambus R+ DDR4, работая в разных режимах, позволяет получить максимальную производительность, одновременно охраняя совместимость со стандартными интерфейсами DDR4 и DDR3. Он разработан в расчете на использование в серверах, компьютерах, сетевом оборудовании и потребительской электронике. К достоинствам R+ DDR4 PHY разработчик относит возможность конфигурирования с целью оптимизации по критериям занимаемой площади и энергопотребления. Ядро поддерживает скорости от 800 до 3200 Мбит/с (в реализации с пониженной потребляемой мощностью) и доступно для интеграции на уровне однокорпусных систем и как самостоятельное изделие.

Источник: Rambus ^[2]

Источник ^[3]