SK Hynix планирует начать выпуск 20-нанометровой памяти типа DRAM в этом году

Южнокорейская компания SK Hynix рассчитывает начать серийный выпуск 20-нанометровой памяти типа DRAM во втором полугодии. Как утверждает источник, об этом сегодня сообщил руководитель компании.

По его словам, прозвучавшим после встречи с инвесторами, речь может идти о самом начале третьего квартала.

Переход к 20-нанометровой технологии позволяет увеличить объемы производства памяти. В случае 300-миллиметровых пластин прирост при переходе от используемой сейчас 25-нанометровой технологии составляет 30%. А если сравнивать с освоенной ранее 29-нанометровой технологией, то и все 50%.

Компания Samsung Electronics, являющаяся основным конкурентом SK Hynix на рынке DRAM, начала выпуск этой продукции по 20-нанометровой технологии в начале прошлого года. Первоначально был освоен выпуск 20-нанометровой памяти DRAM для персональных компьютеров ^[1], а позже — для мобильных устройств ^[2] и серверов.

Источник: CDR Info ^[3]

Источник ^[4]