SanDisk и Toshiba представили 48-слойную флэш-память 3D NAND (BiCS)
Компании SanDisk и Toshiba сообщили о разработке микросхемы флэш-памяти типа NAND с объемной компоновкой (3D NAND) второго поколения, которая состоит из 48 слоев. Каждая ячейка памяти BiCS хранит два бита информации, а всего в микросхеме можно хранить 128 Гбит (16 ГБ). Основной областью применения этих микросхем названы твердотельные накопители.
Пилотное производство должно начаться на фабрике совместного предприятия в Йоккаити во втором полугодии, а серийный выпуск — в 2016 году. К тому времени в в Йоккаити будут готова новая фабрика на месте Fab2 [1], которая строится как раз в расчете не выпуск флэш-памяти 3D NAND.
Источники: SanDisk [2], Toshiba [3]
Источник [4]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/86944
Ссылки в тексте:
[1] в Йоккаити будут готова новая фабрика на месте Fab2: http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?17/93/08
[2] SanDisk: http://www.sandisk.com/about-sandisk/press-room/press-releases/2015/sandisk-announces-48-layer-3d-nand/
[3] Toshiba: http://www.toshiba.co.jp/about/press/2015_03/pr2601.htm?fromRSS=IR2015032601#PRESS
[4] Источник: http://www.ixbt.com/news/ht/187322
Нажмите здесь для печати.