Samsung приступила к массовому производству микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит

В конце прошлого года компания Samsung начала выпуск ^[1] флэш-памяти 3D V-NAND, способной хранить три бита в одной ячейке. На тот момент плотность чипа составляла 128 Гбит.

Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства первых в отрасли микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит. Это соответствует объёму памяти одной микросхемы 32 ГБ. Количество слоёв при этом достигает 48.

Согласно данным Samsung, энергопотребление новых микросхем на 30% меньше, нежели у представленных в прошлом году. Производительность при этом выросла примерно на 40%. Новые микросхемы могут использоваться как для мобильной техники, так и для создания твердотельных накопителей.

Источник:
Samsung ^[2]

Источник ^[3]