Intel обещает SSD-накопители объёмом 10 ТБ через два года

256—384 гигабит на 3D-чипе из 32 слоёв

^[1]В обычной NAND-памяти электрические элементы объединены в пределах плоскостных структур, и слои между собой не связаны. В августе прошлого года Samsung начала производить ^[2] 3D-чипы, состоящие из вертикально сложенных 24 слоёв ячеек. Продолжительное время только корейская компания выпускала V-NAND, но 20 ноября этого года в видеопрезентации для инвесторов ^[3] Intel раскрыла планы ответного решения.

Intel собирается умещать 256 гигабит (32 гигабайт) на одной микросхеме NAND-памяти из 32 слоёв по технологии MLC (multi-level cell), при использовании которой в каждой ячейке сохраняется по два бита, что требует калибровки четырёх состояний. При использовании TLC (triple-level cell, восемь состояний) этот объём возрастёт в полтора раза до 384 гигабит (48 гигабайт).

В Samsung ведутся работы над «плоскими» схемами в 14 нм. Intel и Micron работают над 2D памятью с техпроцессом в 16 нм. Но надёжность 3D памяти падает с уменьшением размеров элементов. 3D-чипы Samsung используют 40 нм техпроцесс, ожидается, что и Intel поступит так же.

Повышение размеров элементов при использовании 3D-технологий привело к тому, что Samsung 850 Pro называют ^[4] самым быстрым и надёжным накопителем на рынке.

В Intel не хотели бы устанавливать жёсткие рамки момента появления 10-терабайтных твердотельников. Скорее всего, устройство подобного объема сначала будет нацелено на корпоративный сектор и лишь позже получит широкое распространение в домашних компьютерах.

Вице-президент и генеральный директор Intel Роб Крук пообещал, что первые накопители такого объёма создадут уже через два года. Как он заметил, возможно появление терабайтной памяти толщиной в 2 мм, это означает, что память мобильных устройств тоже возрастёт.

Новые чипы будут производиться в рамках сотрудничества с Micron Technology на заводе Intel Micron Flash Technologies в Лехи, штат Юта. Начало работ запланировано на вторую половину 2015 года.

Для сравнения: у Samsung есть V-NAND накопитель SM1715 NVMe объёмом 3,2 ТБ. 400-гигабайтный 845DC Pro использует 4 24-слойных 3D-чипа с техпроцессом 40 нм, объём каждого составляет 128 ГБ. В модели 850 Pro применили 32-слойные V-NAND MLC-микросхемы объёмом 86 гигабит.

В конце этого года Hynix планирует ^[5] начать производство 3D-NAND. Подобные работы ведутся ^[6] и в SanDisk, возможно, в 2015 году мы увидим на прилавках их первые результаты. Вполне вероятно, что уже в следующем году 3D-память станет нормой.

По материалам Extreme Tech ^[7], KitGuru ^[8] и TheRegister ^[9].

Автор: FakeFactFelis

Источник ^[10]