- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Samsung разрабатывает новую технологию упаковки чипов для улучшения теплоотвода и утоньшения самого чипа. Называется новая технология Side By Side (SbS), и название тут максимально говорящее.
Суть в том, чтобы размещать кристалл SoC и чип DRAM не один на другой, как это обычно делают сейчас, а рядом друг с другом. Сверху всё это будет прикрываться тончайшей медной пластиной Heat Pass Block (HPB) [1].
Напомним, HPB уже используется в Exynos 2600, выполняя роль радиатора, но в этом случае она размещена рядом с чипом DRAM и под кристаллом SoC. В случае SbS пластина HPB будет прикрывать два чипа, как крышка радиатора. Такое решение позволит намного эффективнее отводить тепло от платформы и потенциально сделать чип немного тоньше.
Возможно, такое решение увидит свет в SoC Exynos 2800 [3], о которой уже появляются первые слухи.
Источник [4]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/440653
Ссылки в тексте:
[1] Heat Pass Block (HPB): https://www.ixbt.com/news/2025/12/14/samsung-snapdragon-apple-hpb.html
[2] Image: #
[3] Exynos 2800: https://www.ixbt.com/news/2025/12/29/soc-gpu-samsung-exynos-2800.html
[4] Источник: https://www.ixbt.com/news/2025/12/31/samsung-soc-exynos-side-by-side-sbs.html
Нажмите здесь для печати.