Компания Samsung разрабатывает новую технологию упаковки чипов для улучшения теплоотвода и утоньшения самого чипа. Называется новая технология Side By Side (SbS), и название тут максимально говорящее.
Суть в том, чтобы размещать кристалл SoC и чип DRAM не один на другой, как это обычно делают сейчас, а рядом друг с другом. Сверху всё это будет прикрываться тончайшей медной пластиной Heat Pass Block (HPB).
Напомним, HPB уже используется в Exynos 2600, выполняя роль радиатора, но в этом случае она размещена рядом с чипом DRAM и под кристаллом SoC. В случае SbS пластина HPB будет прикрывать два чипа, как крышка радиатора. Такое решение позволит намного эффективнее отводить тепло от платформы и потенциально сделать чип немного тоньше.
Возможно, такое решение увидит свет в SoC Exynos 2800, о которой уже появляются первые слухи.
