Южнокорейская SK hynix представила технические подробности архитектуры 3D FeNAND, которая позволяет выполнять вычисления непосредственно внутри флеш-памяти NAND.
Компания сообщает, что в определённых сравнениях экспериментальных архитектур при сопоставимой площади кристалла удалось получить пропускную способность в 10–20 раз выше, а энергоэффективность — в 4000–5000 раз выше. Эти показатели относятся к изученным структурам памяти и не являются сравнением с современными графическими процессорами или готовыми серверами для искусственного интеллекта.
Читать полностью »