Китайская академия наук анонсировала новую архитектуру транзисторов с круговым затвором (GAA), которая достигла коэффициента включения/выключения более 500 000 раз на установке для DUV-литографии, что теоретически позволяет достичь производительности, эквивалентной 3 нм.
В отличие от FinFET, GAA позволяет точнее управлять током и уменьшать утечки. При этом DUV-оборудование само по себе не способно напрямую формировать элементы уровня 3 нм: для более продвинутых норм обычно применяются многократная экспозиция и другие методы масштабирования. В новой архитектуре, как утверждается, увеличение расстояния между транзисторами позволяет сохранить необходимые характеристики и тем самым создать «3-нм эквивалент» без EUV.
Однако речь пока именно о технологической возможности, а не о готовом 3-нм производстве. Новая архитектура решает ограничения на уровне FEOL — формирования самих транзисторов, тогда как последующие этапы MEOL и BEOL, включая металлические соединения и разводку слоя M0, остаются отдельной проблемой.
Поэтому разработка демонстрирует потенциальный путь продвижения DUV-технологий к более передовым нормам, но для полноценного промышленного процесса потребуется решить и ограничения последующих этапов изготовления чипов.
