Архив за 19 декабря 2021 - 3

Компания Samsung на этой неделе сообщила о начале серийного выпуска «обширной линейки передовых решений в области памяти, разработанных для автономных электромобилей следующего поколения». Новая линейка включает 256-гигабайтный твердотельный накопитель PCIe Gen3 NVMe в корпусе BGA, микросхемы памяти GDDR6 DRAM объемом 2 ГБ и DDR4 DRAM объемом 2 ГБ для высокопроизводительных информационно-развлекательных систем, а также микросхемы памяти GDDR6 DRAM объемом 2 ГБ и модуль флеш-памяти Universal Flash Storage (UFS) объемом 128 ГБ для систем автономного вождения.