Компания TSMC подтвердила намерение построить свою первую линию опытного производства, рассчитанную на пластины диаметром 450 мм, в 2016-2017 году. На ней предполагается выпускать продукцию по нормам 10 и 7 нм, в которой будет использоваться технология транзисторов FinFET.
Для производства 10-нанометровых чипов TSMC рассчитывает применять литографию в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Установка соответствующего оборудования намечена на конец 2017 года.
По данным TSMC, поставщики оборудования, ранее не решавшиеся инвестировать в оборудование для работы с пластинами диаметром 450 мм, изменили свою позицию, поскольку планы отрасли по переходу на такие пластины стали более явными. Как утверждается, каждый крупный производитель выделяет на разработку оборудования для работы с пластинами диаметром 450 мм примерно 15% своего бюджета на НИОКР.
TSMC рассчитывает завершить установку большей части оборудования, необходимого для производства с использованием 450-миллиметровых пластин, к концу четвертого квартала 2015 года, и построить свою первую линию пилотного производства в 2016-2017 году. Установка оборудования для EUV и иммерсионной литографии с длиной волны 193 нм завершится к концу 2017 года. На этих мощностях предполагается освоение норм техпроцесса 10 и 7 нм.
Выпуск 20-нанометровой продукции TSMC нм рассчитывает начать в 2014 году.
Источник: DigiTimes
