Компания Samsung намерена значительно расширить парк оборудования для выпуска микросхем методом литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUV) и приобрести новую партию установок, включая самые передовые системы High NA. Эти шаги направлены на ускорение перехода к массовому производству по 2-нм техпроцессу.
Отдел хранения данных компании установит пять комплектов стандартного EUV-оборудования, создав независимую производственную линию. Ранее фабрики по производству пластин и подразделение хранения в Пхёнтхэке использовали общее оборудование.
Кроме того, Samsung добавит два комплекта литографической техники High NA EUV — одну установку планируется ввести в эксплуатацию в конце 2025 – начале 2026 года. Один комплект появится на заводе в Хвасоне, а второй, вероятно, будет размещён на площадке по производству пластин в Тейлоре.
Стоимость одного комплекта стандартной установки EUV оценивается 210 млн долларов, оборудования High NA EUV — примерно 400 млн долларов. Совокупные инвестиции компании в новое оборудование достигнут 1,8 млрд долларов.
Технология High NA EUV обеспечивает до 1,7 раза более точную топологию схем, почти в три раза более высокую плотность транзисторов и повышение оптической точности на 40% по сравнению с классическими системами EUV.
