Китайские производители памяти стремительно сокращают
технологическое отставание от мировых лидеров. По оценке Корейской ассоциации
полупроводниковой промышленности (KSIA), сейчас Китай отстает от Южной Кореи
примерно на год в производстве NAND, на два года в DRAM и примерно на три года
в самом сложном сегменте HBM. Еще недавно разрыв оценивался примерно в пять
лет.
Главную роль в этом процессе играют два крупнейших китайских
производителя — YMTC, специализирующаяся на NAND, и CXMT, выпускающая DRAM.
Быстрее всего Китай приближается к конкурентам в производстве флеш-памяти.
Samsung и SK hynix начали переход к NAND с более чем 300 слоями в 2025 году, в
то время как YMTC освоила 270-слойные чипы.
В производстве DRAM отставание составляет около двух лет.
Samsung и SK hynix раньше освоили DDR5, однако CXMT постепенно сокращает разрыв
и уже выпускает LPDDR5X. Китайская компания также приступает к освоению
следующего поколения мобильной памяти.
С HBM ситуация сложнее. Высокоскоростная память используется
прежде всего в ускорителях искусственного интеллекта, и здесь CXMT пока отстает
примерно на три года. Компания уже начала пилотное производство HBM3E, но выход
годных микросхем, согласно приведенным данным, составляет лишь около 25%. Одна
из главных проблем — создание надежных вертикальных соединений между
многочисленными слоями памяти.
Для ускорения разработки CXMT использует технологии,
связанные с архитектурой X-Stacking компании YMTC и гибридным соединением
медь-медь. Такой подход позволяет уменьшить длину электрических соединений
между слоями и потенциально обойти часть ограничений традиционной упаковки.
При этом китайские производители развивают память без
доступа к передовым EUV-литографам, поставки которых в Китай заблокированы.
Одновременно китайские компании резко наращивают объемы
производства. CXMT рассчитывает довести выпуск примерно до 300 тыс. 300-мм
пластин в месяц на трех предприятиях, а мощности для памяти HBM могут составить
около 50 тыс. пластин ежемесячно. Компания также строит новые производства в Шанхае
и Хэфэе, после чего совокупная мощность в перспективе может достичь 600 тыс.
пластин в месяц.
Если эти планы будут реализованы, к 2030 году CXMT
потенциально сможет обойти американскую Micron по физическим объемам выпуска
DRAM. При этом больший объем производства сам по себе не означает
технологического или финансового превосходства. Китайская компания также
внедряет технологию транзисторов High-k Metal Gate (HKMG), которая помогает
снижать токи утечки и энергопотребление при дальнейшем уменьшении размеров
элементов. Следующее поколение DRAM-техпроцесса G5, по имеющимся планам, может
использовать нормы около 15 нм.
Не отстает и YMTC. К началу 2027 года ее производственные
мощности могут достичь примерно 300 тыс. пластин в месяц, а после запуска двух
новых предприятий — 450–500 тыс. к 2028 году. Для сравнения, производственные
мощности Samsung в NAND оцениваются примерно в 350 тыс. пластин в месяц к концу
2027 года.
