Компания Samsung Electronics пересмотрела свои первоначальные планы по запуску производства памяти DRAM по техпроцессу D1d, то есть 10-нанометровому техпроцессу седьмого поколения.
Ресурс Chosun говорит, что компания планировала начать пробное производство в первом квартале, а чуть позже запустить массовое, но откладывает второй этап из-за того, что не достигла целевых показателей выхода годной продукции.
Эта память для Samsung важна, так как на её основе будет производиться память HBM5E. Напомним, компания заметно ускорилась и вдвое сократила цикл разработки нового поколения HBM. Точнее, хочет так сделать, и теперь вот не факт, что у неё получится.
Впрочем, до HBM5E ещё далековато. На текущий момент рынок готовится к выходу HBM4 в готовых устройствах, а этом образцы HBM4E у Samsung должны появиться во второй половине текущего года с внедрением их в продукты в следующем году. После этого будет HBM5, а уж затем HBM5E.
