Итак, перед Вами процессорный модуль отечественной разработки, основой которого является четырёхядерный SoC архитектуры RISC V JH7110 производства Поднебесной.
Расположен SoC примерно в центре платы, ближе к ламельному разъёму, использующемуся для установки процессорного модуля (ну или нескольких, если Вам интересна такая конфигурация) на Вашей несущей плате. На фотографии маркировка на JH7110 прикрыта небольшим радиатором. В случае напряжённого теплового режима единым радиатором с возможностью активного охлаждения вместе с SoC накрываются ещё SDRAM, eMMC и многоканальный преобразователь питания. Для крепления такого умощнённого радиатора предназначены четыре отверстия, расположенные прямоугольником.
Два отверстия по краю платы, противоположному ламелям, предназначены для дополнительной фиксации процессорного модуля в разъёме стандарта DDR4 SODIMM P260. В принципе, плата нормально фиксируется штатными лапками разъёма (для чего по коротким сторонам примерно посередине сделаны прямоугольные вырезы), как положено модулю памяти, но для мобильных применений да ещё и с увеличенным радиатором дополнительное крепление необходимо. Разъёмы SODIMM P260 существуют всякие, горизонтальные, вертикальные и наклонные, с разным расстоянием между модулем и материнской платой, есть даже сдвоенные. Я бы не рекомендовал с нашим модулем использовать наклонные, вертикальные - только с дополнительным креплением противоположного ламелям края. Самое лучшее – горизонтальные, зазор между модулем и несущей выбирайте сами, исходя из высоты установленных под ПМ компонентов. Компоненты модуля, расположенные на нижней стороне платы, укладываются в требования по высоте любого из разъёмов: низкопрофильного, обычного и высокого. Не забудьте только про тепловыделение деталей под модулем – условия вентиляции там – хуже не придумаешь.
Самый высокий тут компонент – жижадевайс GD32F103, компонент аппаратного корня доверия (на фото он в верхнем левом углу). Надо понимать, что в том случае, когда (и если) Вы будете использовать увеличенный радиатор, то самым высоким компонентом могут стать головки винтов крепления.
Как уже упоминалось выше, на плате модуля распаяны 3 микросхемы памяти: SDRAM LPDDR4 Micron MT53E2G32D4 объёмом 8ГБайт, SPI NOR FLASH W25Q128JVSIQ объёмом 16МБайт (для размещения начального загрузчика и части UBOOT) и eMMC Micron MTFC64GAPALHT ёмкостью 64ГБайт. SDRAM расположена слева от JH7110, прямо над SoC разместилась eMMC и справа (на уровне eMMC) припаяна восьминожка NOR FLASH.
Справа и ниже NOR FLASH на плате расположены две гигабитных ИМС PHY Realtek RTL8211F, абсолютно стандартные и ничем не примечательные рабочие лошадки для работы с сетью. Две независимых микросхемы 10-100-1000 BaseT дают возможность создавать устройства с физически изолированными друг от друга сетевыми сегментами, например такие, как криптошлюзы.
Выше и левее SDRAM нашли своё место две ИМС I2C FLASH совсем крошечного объёма: одна с настройками многоканального преобразователя питания, а другая – для схемы SPD, про неё речь будет позже, в статье про то, что выведено на ламельный разъём.
На обратной стороне есть ещё посадочное место под ИМС аппаратного корня доверия. На фотографии изображена версия платы под АКД Core Sies Nano производства компании «Инфотекс», есть и ещё два варианта – микросхемы, созданные компаниями «Актив» и «Микрон». Про аппаратный корень доверия мы также планируем поговорить позже, в отдельной статье.
Вот и все основные компоненты процессорного модуля Мурена V. Как уже говорилось выше, в следующей статье мы поговорим про внешние соединения процмодуля, в подавляющем своём большинстве сосредоточенные на 260-контактном ламельном разъёме.
Начало истории тут https://habr.com/ru/articles/949552/
Автор: VladSMR
