По сообщению источника, крупные китайские производители полупроводниковой продукции Yangtze River Storage Technology (YRST), Fujian Jin Hua Integrated Circuit и GigaDevice Semiconductor намерены выйти на рынок DRAM. Каждый из них рассчитывает стать крупнейшим китайским поставщиком этой продукции.
За спиной YRST стоит государственно-частный конгломерат Tsinghua Unigroup. В YRST рассматривают возможность приобретения готовой фабрики, рассчитанной на пластины диаметром 300 мм, или строительства новой, где будет выпускаться память типа DRAM и NAND. Отметим, что YRST уже располагает такой фабрикой, которую эксплуатирует дочернее предприятие Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing (XMC). К концу будущего года эта фабрика должна начать выпуск 32-слойной и 64-слойной флэш-памяти 3D NAND, созданной с использованием технологий Cypress (Spansion). В вопросах выпуска DRAM компания YRST рассматривает возможность сотрудничества с крупными производителями этой продукции, включая Micron Technology.
Компания Fujian Jin Hua Integrated Circuit уже строит фабрику, рассчитанную на пластины диаметром 300 мм. Технологию производства DRAM по нормам 25-30 нм это предприятие получит от United Microelectronics (UMC).
Подробностей о деятельности GigaDevice Semiconductor, точнее, совместного предприятия с участием этой компании, созданного для разработки и выпуска микросхем DRAM, источник не приводит. Известно лишь, что, как и другие перечисленные выше компании, этот производитель включится в конкуренцию на рынке DRAM не позднее 2018 года.
Источник: Digitimes
