Компания Samsung Electronics сегодня объявила о начале массового производства 16-гигабитных микросхем LPDDR4X DRAM, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса и предназначенных для автомобилей.
![Samsung начинает серийный выпуск памяти LPDDR4X DRAM 10-нанометрового класса для автомобильной электроники - 1 Samsung начинает серийный выпуск памяти LPDDR4X DRAM 10-нанометрового класса для автомобильной электроники](https://www.pvsm.ru/images/2018/04/25/Samsung-nachinaet-seriinyi-vypusk-pamyati-LPDDR4X-DRAM-10-nanometrovogo-klassa-dlya-avtomobilnoi-elektroniki.jpg)
Производитель отмечает, что новая память демонстрирует высокую производительность и энергетическую эффективность, сохраняя работоспособность в экстремальных условиях, которые свойственны указанной области применения. В частности, в диапазоне температур от -40°C до 125°C, соответствуя требованиям Automotive Grade 1.
Интерфейс LPDDR4X является самым быстрым в случае «автомобильной» памяти. Новая память Samsung характеризуется пропускной способностью 4266 Мбит/с, что на 14% превосходит показатель памяти LPDDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, выпускаемой по 20-нанометровой технологии. Превосходство новой памяти по энергетической эффективности достигает 30%.