По данным ресурса Nikkei, компания Kioxia начнет производство памяти NAND следующего поколения (BICS9 и BICS10 3D NAND) в следующем году, причём процессы запустят с опережением изначального графика.
BiCS10 переходит на новую 332-слойную матрицу 3D NAND, что позволит решать задачи, требующих больших объемов данных, в том числе для искусственного интеллекта.
Kioxia изначально планировала начать производство 332-слойной памяти во второй половине 2027 года, то есть сдвигает сроки примерно на год. Что интересно, ровно так же поступает и SanDisk, которая имела аналогичные планы.
Выпуск новой памяти будет налажен на заводе Fab 2 недалеко от Китаками, префектура Иватэ. Сама 332-слойная память будет выделяться меньшей задержкой и меньшим энергопотреблением, обеспечивая скорость в рамках стандарта Toggle DDR 6.0 (4,8 ГТ/с).
