Компании Hynix и SanDisk собираются вместе работать над созданием новой высокоскоростной флеш-памяти. Память High Bandwidth Flash (HBF) описывается, как новый уровень для выполнения задач искусственного интеллекта, занимающий промежуточное положение между HBM и SSD, ориентированный на большую емкость, чем HBM, без перехода к схемам доступа, характерным для обычных накопителей.
Совместный проект двух компаний под названием Open Compute Project создан для стандартизации этого нового типа памяти.
Известно, что HBF создаётся на основе NAND, но при этом сможет предложить в 8-16 раз большую ёмкость, чем HBM. И это при аналогичной пропускной способности и даже аналогичной стоимости.
В рамках разработки на первом этапе SanDisk собирается достичь пропускной способности в 1,6 ТБ/с, ёмкости 256 Гбит на кристалл и объёма 512 ГБ на 16-слойный стек. По размерам и энергопотреблению такой стек будет максимально близок к стеку HBM4.
Когда такая память может выйти на рынок, пока неизвестно.
