Micron представила флеш-память NAND нового поколения — G11, ее производство планируется
развернуть во второй половине 2027 года. Технология G11 предусматривает более 400 слоёв.
Судя по представленным планам, Micron может пропустить поколение G10.
Плотность хранения данных у G11, рассчитанная на единицу площади, будет
примерно вдвое выше, чем у нынешней G9 NAND с 276 слоями. Скорость ввода-вывода
вырастет до 1,5 раза, а энергопотребление при передаче данных снизится более
чем на 25%. Эти изменения должны повысить эффективность хранения и обработки
больших объёмов информации, в том числе в системах искусственного интеллекта.
После G11 Micron намерена внедрять в NAND новые материалы с высокой
подвижностью носителей заряда. Компания рассчитывает с их помощью создать более
плотную архитектуру ячеек и дополнительно повысить энергоэффективность памяти.
Отдельно Micron представила два типа NAND для ИИ-инфраструктуры центров
обработки данных. Первый вариант оптимизирован для высокой производительности
операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и использует SLC-память, рассчитанную на
подключение непосредственно к графическим процессорам. Второй ориентирован на
высокую пропускную способность и по концепции напоминает HBF — подход к
созданию памяти с высокой полосой пропускания.
